半導體微影製程（收費課程）
教師: 鄭秀英
國立高雄大學
2022/12/01~2023/05/11
報名截止日期：2023/02/23
摘要
課程目標
授課教師
課程進度表
課程內容
上課形式
評分標準
證書資訊

摘要

首次開課優惠價：1999元 (原價3600元)

「半導體微影製程」的規劃是參照iCAP網站公告之「半導體產業製造-製程工程師職能基準」並與半導體微影製程業界專家共同討論，進而發展出的以半導體微影製程初級職能為導向的課程。

課程目標

本課程之學習目標是在培育學生具備初級微影工程師的行為指標與職能內涵，增加學生的就業競爭力，降低學生學產接軌之的落差與產業的人才培訓時間/成本。完訓學生適合擔任半導體微影製程或相關模組製程新進工程師職務。

授課教師

  • 教師姓名：鄭秀英
  • 教師簡介：
一、經歷
1. 72年至73年：成功大學擔任助教
2. 80年至87年：行政院同步輻射研究中心助理研究員、副研究員
3. 87年至90年：ASML應用工程師
4. 90年至93年：台積電技術副理、副理
5. 93-110年高雄大學：副教授、教授教職。

二、教學成果
1. 「發光二極體技術導論」課程通過iCAP課程品質認證。每年修課學生參加工業技術研究院與中華民國光電學會舉辦之「LED工程師基礎能力鑑定」之認證通過率均高於全國應試者之通過率。
2. 「半導體微影製程」課程通過iCAP課程品質認證
3. 國立高雄大學「半導體製程學程」創辦人。學程授證學生超過50%就職於AMAT、ASML、Micron、台積電、聯電、日月光、群創、矽品、億光等世界級半導體公司。
4. 教育部補助國立高雄大學之教學卓越、深耕計畫中分項「半導體人才培育計畫」主持人。
5. 教授半導體技術相關課程如下：「半導體微影製程」、「半導體技術概論」、「真空技術」、「發光二極體技術概論」、「發光二極體技術實作」。
6. 獲選校級優良教師。

三、研究成果
1. 發表SCI或SPIE論文共29篇
2. 微影技術報告5篇
3. 微影技術專利6項
4. 主持科技部(國科會)12個與共同主持6個計畫、主持1個教育部教學實踐計畫計畫。

四、行政與社會服務
1. 103至106年：應用化學系系主任。
2. 107年至108年：學務長與深耕計畫一主項負責人。
3. 108年至109年：「國立高雄大學開設原住民族語言課程計畫」計畫主持人。
4. 109年：全國大專運動會活動、醫療兩項中心主任。
5. 110年至今：家扶中心課業輔導、國立科學工藝博物館志工。

課程進度表

第1週:S1：半導體產業介紹

第2週:S1：半導體產業介紹

第3週:S2：光阻與光化學

第4週:S2：光阻與光化學

第5週:S2：光阻與光化學

第6週:S3：微影成像原理

第7週:S3：微影成像原理&期中考

第8週:寒假年節暫停更新 (學員複習)

第9週:寒假年節暫停更新 (學員複習)

第10週:寒假年節暫停更新 (學員複習)

第11週:寒假年節暫停更新 (學員複習)

第12週:S4：曝光設備技術

第13週:S4：曝光設備技術

第14週:S4：曝光設備技術

第15週:S4：曝光設備技術

第16週:S5：極紫外光(EUV)微影技術、光罩技術、Resolution enhancement techniques (RET)

第17週:S5：極紫外光(EUV)微影技術、光罩技術、Resolution enhancement techniques (RET)

第18週:S6：量測技術、統計分析與生產控制

第19週:S6：量測技術、統計分析與生產控制

第20週:S6：量測技術、統計分析與生產控制

第21週:S6：量測技術、統計分析與生產控制&期末考

第22週:問題與討論／考試時間

第23週:問題與討論／考試時間

第24週:成績結算(認證申請)

課程內容

  • S1：半導體產業介紹
W1 半導體產業介紹
W2 微影技術趨勢
W3 微影製程簡介(8大步驟)
W4 微影之其他產業應用+ 微影製程職涯介紹

  • S2：光阻與光化學
W1 光阻介紹
W2 負型光阻
W3 正型光阻-1
W4 正型光阻-2
W5 光阻光化學及應用
W6 抗反射層

  • S3：微影成像原理
W1 成像理論
W2 成像理論/微影製程窗
W3 成像尺規
W4 成像誤差

  • S4：曝光設備技術
W1 Introduction/Subsystems of the exposure tool
W2 曝光機子系統-1(light source)
W3 曝光機子系統-2(illuminator)
W4 曝光機子系統-2(SES/SWS)
W5 曝光機子系統-3(Projection)
W6 曝光機子系統-4/Leveling
W7 曝光機子系統-5(校正系統 Aligment)
W8 下個世代

  • S5：極紫外光(EUV)微影技術、光罩技術、 Resolution enhancement techniques (RET)
W1 Current Status of EUVL/EUVL System
W2 光罩技術
W3 RET

  • S6：量測技術與、統計分析與生產控制
W1 Track設備與製程
W2 量測技術
W3 統計分析與生產控制-1
W4 統計分析與生產控制-2

上課形式

本課程設計為45小時網授課程，課程內容包含10個單元：半導體產業與微影技術介紹、光阻與光化學、微影成像原理、曝光設備技術、極紫外光(EUV)微影技術、光罩技術、 Resolution enhancement techniques (RET) 、Track設備與製程、 量測技術、統計分析與生產控制。

評分標準

  • 課程及格標準: 60 分 滿分： 100分
  • 課程的學習成果評量包含講述教學後之學習測驗(80%)
  • 繳交前瞻微影製程技術報導之閱讀報告與微影製程數據處理報告(10%)
  • 影片觀看率(10%)

通過標準


課程及格標準:60滿分：100分

先修科目或先備能力

普通物理(至少三學分)、普通化學(至少三學分)、半導體製程概論或等同課程(強烈建議須先備)。

建議參考書目

(1) Harry J. Levison, Principles of Lithography, 3rd ed. (SPIE Press, 2011) ISBN: 9780819483249.

(2) Uzodinma Okoroanyanwu, Chemistry and Lithography (SPIE Press, 2010) ISBN: 9780819475626

(3) Burn J. Lin, Optical Lithography: Here is Why (SPIE Press, 2010) ISBN:9780819475602.

(4) Chris A. Mach, Fundamental Principles of Optical Lithography (Wiley, 2007) ISBN: 9780470727300.

(5) Chris A. Mack, Field Guide to Optical Lithography (SPIE Press, 2006) ISBN: 0819462071.[11]

(6) Alfred K.-K. Wong, Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography (SPIE Press, 2001) ISBN: 0-8194-3995-96.

(7) Harry J. Levison, Lithography Process Control (SPIE press, 1999) ISBN: 0-8194-3052-8

(8) 網路資訊與報導

證書資訊

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